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  • 镓和半导体首次发布4英寸单晶衬底参数

    镓和半导体在“第四届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会”上首次发布4英寸（100）面氧化镓单晶衬底参数

    넶10 2023-10-26

  • 镓和半导体完成A轮融资

    本轮融资将进一步加快「镓和半导体」在技术突破、产品开发、产能扩充、人才引进、应用布局等关键环节的发展进程

    넶5 2023-04-06

  • 氧化镓的主要应用场景

    超宽禁带半导体氧化镓（Ga2O3）相对于传统的Si、GaAs等窄禁带半导体材料和SiC、GaN等宽禁带半导体材料而言，具有更大的禁带宽度、击穿场强、更高的巴利加优值、耐高温、抗辐照等优异特性，在发展高温、大功率、强抗辐照功率器件和光电器件应用领域具有很大的潜力。

    넶2 2023-03-21